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      窗片晶片使用多次后被污染后處理方法-拋光

      2025
      10-01

      07:28:57

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      來源:天津諾雷信達科技有限公司

      我們這里所說的是指具有較低紅外吸收系數(shù)的單晶。在KBr原料中,適量添加KBr3,可利用KBr3在熱分解過程中產生的游離溴去除KBr原料中的含氧基團,純化原料。用提拉法在大氣環(huán)境中也能生長出低吸收系數(shù)的大尺寸優(yōu)質KBr單晶。采用提拉法生長KBr單晶 ,設計合理的溫場 ,探索*的生長工藝條件 ,可以生長出了具有高透過、低吸收和光學均勻性高的Φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的單晶 ,同時還應該知道影響其光學性能的各種因素 ,以及提高透過、消除吸收峰的各種方法。其紅外吸收系數(shù)在1×10ˉ?cmˉ¹數(shù)量級。ZUI高級KBr單晶透過波段寬(03~34um),本征吸收系數(shù)β106μm≈20×10-7/cmˉ¹比用普通方法生長的KBr單晶的吸收系數(shù)降低2個數(shù)量級。這些都必須通過高壓釜經(jīng)過連續(xù)保溫才能生長出合格的單晶。

      是ZUI常用的窗片材料。晶片硬度小,易加工,價格便宜。隨著晶片使用次數(shù)的增多,晶片表面劃痕越來越多。晶片表面越容易被有機物污染。如果測試的有機液體含有少量的水,水會溶解晶片表面的,使晶片表面下凹,導致以后測試時液膜中出現(xiàn)氣泡或液膜厚度不易掌握。當出現(xiàn)以上情況時,應將晶片拋光。

      現(xiàn)有的拋光方法有用拋光機拋光,或用拋光附件拋光。但無論哪種方法都無法有效拋光晶片表面,拋光精度差,導致紅外波段的透過率較低,且對晶片表面損傷較大。



      技術實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明要解決的技術問題是現(xiàn)有的晶片拋光方法無法實現(xiàn)有效拋光,影響紅外波段的透過率,且會損傷晶片表面,為此提供一種晶片的拋光方法。

      本發(fā)明的技術方案是:晶片的拋光方法,它包括以下步驟:(1)、將晶片置于密閉錐形容器內,將密閉錐形容器抽真空;(2)、將酒精加熱至50-60℃后放入密閉容器內,對密閉容器內充入干燥氮氣,使其充滿密閉容器;(3)、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心10-20min,離心機轉速為200-250r/min;(4)、打開密閉錐形容器,用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI,再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心6-10min,離心機轉速為300-350r/min;(5)、取出密閉錐形容器內的晶片,用干凈絨布擦干晶片表面。

      本方法的有益效果是將晶片置于真空環(huán)境中,利用加熱后的酒精的揮發(fā)性在氮氣的壓迫下附著在晶片表面,在離心機的高速旋轉下霧化的酒精均勻附著在晶片表面,逐漸溶解氣表面的有機物,再通入乙MI,在離心機的高速旋轉下進行深程度的清潔,使其表面恢復光潔,后取出擦干的晶片即去除了表面的有機物和劃痕,又ZUI大程度的降低了被酒精和乙MI溶解的量,延長的使用壽命。

      具體實施方式

      下面結合實施例對本方法做進一步說明。

      實施例1:晶片的拋光方法,它包括以下步驟:(1)、將晶片置于密閉錐形容器內,將密閉錐形容器抽真空;(2)、將酒精加熱至50℃后放入密閉容器內,對密閉容器內充入干燥氮氣,使其充滿密閉容器;(3)、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心10min,離心機轉速為200r/min;(4)、打開密閉錐形容器,用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI,再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心6min,離心機轉速為300r/min;(5)、取出密閉錐形容器內的晶片,用干凈絨布擦干晶片表面。

      實施例2:晶片的拋光方法,它包括以下步驟:(1)、將晶片置于密閉錐形容器內,將密閉錐形容器抽真空;(2)、將JUE對酒精加熱至55℃后放入密閉容器內,對密閉容器內充入干燥氮氣,使其充滿密閉容器;(3)、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心15min,離心機轉速為225r/min;(4)、打開密閉錐形容器,用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI,再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心8min,離心機轉速為325r/min;(5)、取出密閉錐形容器內的晶片,用干凈絨布擦干晶片表面。

      實施例3:晶片的拋光方法,它包括以下步驟:(1)、將晶片置于密閉錐形容器內,將密閉錐形容器抽真空;(2)、將酒精加熱至60℃后放入密閉容器內,對密閉容器內充入干燥氮氣,使其充滿密閉容器;(3)、將密閉錐形容器放入離心機內進行離心20min,離心機轉速為250r/min;(4)、打開密閉錐形容器,用滴管向密閉錐形容器內的晶片表面滴加乙MI,再次封閉密閉錐形容器并放入離心機內進行離心10min,離心機轉速為350r/min;(5)、取出密閉錐形容器內的晶片,用干凈絨布擦干晶片表面。

      本方法的構思是將晶片置于真空中隔絕外部環(huán)境的干擾,將酒精也就是*和鎂反應得到的99%乙醇加熱至50-60℃,加速其分子運動,將酒精置于密閉錐形容器內,利用其揮發(fā)性逐漸揮發(fā)成氣體,由于其不含水分,所以不會對晶片造成大的損傷。通入氮氣是為了將揮發(fā)后的酒精氣體約束在晶片表面,再將密閉錐形容器放入離心機中高速旋轉,利用密閉錐形容器的結構特點使得氮氣在其內發(fā)生回旋,利用離心力使得酒精氣體在晶片表面旋轉摩擦,溶解剝離其表面的有機液體,接著向晶片滴加乙MI,高速旋轉離心機,進一步增強去污效果,經(jīng)過這幾步處理后的晶片即去除了表面殘留的有機液體,修復表面的劃痕,恢復其透光率,又控制了酒精和乙MI對其表面的腐蝕程度,延長了晶片的單片使用壽命。

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